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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 32 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NZT45C11D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT45C11L99Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT45C11S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT45H8 | FAIRCHILD |
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PNP Power Amplifier |
|
| NZT45H8 | ONSEMI |
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PNP 功率放大器 |
|
| NZT45H8_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT45H8D84Z | TI |
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Si, POWER TRANSISTOR, TO-261 |
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| NZT45H8L99Z | TI |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-261 |
|
| NZT45H8L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
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| NZT45H8S62Z | TI |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR, TO-261 |
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