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NZT605 PDF预览

NZT605

更新时间： 2024-09-24 22:28:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 40K
描述
NPN Darlington Transistor

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NZT605 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.51
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：110 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

NZT605 数据手册

 浏览型号NZT605的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NZT605的Datasheet PDF文件第3页 
NZT605  
NPN Darlington Transistor  
4
•
This device designed for applications requiring extremely high gain at  
collector currents to 1.0A and high breakdown voltage.  
Sourced from process 06.  
•
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2.4. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
110  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CEO  
140  
V
CBO  
EBO  
10  
V
I
- Continuous  
1.5  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are baseed on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
I
I
= 10mA, I = 0  
110  
140  
10  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 100µA, I = 0  
V
C
I
I
I
V
V
V
= 120V, I = 0  
10  
10  
nA  
nA  
nA  
CB  
CE  
EB  
E
Collector Cutoff Current  
= 120V, I = 0  
E
CES  
Emitter Cutoff Current  
= 8.0V, I = 0  
100  
EBO  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
I
I
I
I
= 50mA, V = 5.0V  
2000  
5000  
2000 100K  
500  
FE  
C
C
C
C
CE  
= 500mA, V = 5.0V  
CE  
= 1.0A, V = 5.0V  
CE  
= 2.0A, V = 5.0V  
CE  
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 250mA, I = 0.25mA  
1
1.5  
V
CE(sat)  
C
C
B
= 1.0A, I = 1.0mA  
B
V
V
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 1.0A, I = 1.0mA  
1.8  
1.7  
V
V
BE(sat)  
C
C
B
= 1.0A, V = 5.0V  
BE(on)  
CE  
Small Signal Characteristics  
Transition Frequency  
f
I
= 100mA, V = 10V, f = 20MHz  
150  
MHz  
T
C
CE  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
°C/W  
θJA  
2
* Device mounted on FR-4 PCB 36mm × 18mm × 1.5mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
123

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NZT605 替代型号

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