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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.52 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 75 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NZT651 | ONSEMI |
功能相似  |
NPN 电流驱动器晶体管 |
|
| NZT651 | FAIRCHILD |
功能相似 |
NPN Current Driver Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NZT651D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| NZT651L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| NZT651S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| NZT651S62Z | TI |
获取价格 |
4000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261 |
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| NZT660 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Low Saturation Transistor |
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| NZT660 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 低饱和晶体管 |
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| NZT660_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Low Saturation Transistor |
|
| NZT660_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| NZT660A | ONSEMI |
获取价格 |
PNP低饱和晶体管 |
|
| NZT660A | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Low Saturation Transistor |
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