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NX3008NBKS

更新时间： 2024-09-28 11:12:23

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	272K
描述
30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction

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NX3008NBKS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.35 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NX3008NBKS 数据手册

NX3008NBKS

30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET

5 November 2022

Product data sheet

1. General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

•

Very fast switching

•

Low threshold voltage

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Relay driver

High-speed line driver

Low-side load switch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-8

V_GS= 4.5 V; T_amb= 25 °C

V_GS= 4.5 V; I_D= 350 mA; T_j= 25 °C

[1]

350

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

1.4

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...15

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