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NX3008NBKV

更新时间： 2024-09-28 11:14:43

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	247K
描述
30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction

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NX3008NBKV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.4 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	2.2 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NX3008NBKV 数据手册

NX3008NBKV

30 V, 400 mA dual N-channel Trench MOSFET

28 December 2022

Product data sheet

1. General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead

SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

•

Very fast switching

•

Low threshold voltage

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

3. Applications

•

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-8

V_GS= 4.5 V; T_amb= 25 °C

V_GS= 4.5 V; I_D= 350 mA; T_j= 25 °C

[1]

400

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

1.4

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...14

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