是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.23 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.35 A | 最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
参考标准: | AEC-Q101; IEC-60134 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NX3008PBK | NXP |
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30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET | |
NX3008PBK | NEXPERIA |
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30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFETProduction | |
NX3008PBK215 | NXP |
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30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET | |
NX3008PBKMB | NXP |
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30 V, single P-channel Trench MOSFET | |
NX3008PBKMB,315 | NXP |
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暂无描述 | |
NX3008PBKS | NXP |
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30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET | |
NX3008PBKS | NEXPERIA |
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30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction | |
NX3008PBKS,115 | NXP |
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NX3008PBKS - 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin | |
NX3008PBKT | NXP |
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SMALL SIGNAL, FET, PLASTIC, SC-75, 6 PIN | |
NX3008PBKT,115 | NXP |
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NX3008PBKT - 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin |