NX3008PBKS

更新时间： 2024-09-27 12:46:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	905K
描述
30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NX3008PBKS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

NX3008PBKS 数据手册

NX3008PBKS

30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 1 August 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363

(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

 Very fast switching

 ESD protection up to 2 kV

 AEC-Q101 qualified

 Low threshold voltage

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 High-side loadswitch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-30

-8

[1]

V_GS= -4.5 V;

T_amb= 25 °C

-200 mA

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= -4.5 V;

I_D= -200 mA; T_j= 25 °C

2.8

4.1

Ω

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与NX3008PBKS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NX3008PBKS,115	NXP	获取价格	NX3008PBKS - 30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin
NX3008PBKT	NXP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET, PLASTIC, SC-75, 6 PIN
NX3008PBKT,115	NXP	获取价格	NX3008PBKT - 30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin
NX3008PBKV	NEXPERIA	获取价格	30 V, 220 mA dual P-channel Trench MOSFETProduction
NX3008PBKW	NXP	获取价格	30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET
NX3008PBKW	NEXPERIA	获取价格	30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFETProduction
NX301	CANDD	获取价格	300 WATT AC/DC POWER SUPPLY
NX301100	AAVID	获取价格	RECTANGULAR HEAT SINK LED ARRAYS
NX301103	AAVID	获取价格	Heat Sink
NX301105	AAVID	获取价格	Heat Sink