NX3008PBKW

更新时间： 2024-09-27 12:49:47

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管 PC
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16页	883K
描述
30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET

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NX3008PBKW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

NX3008PBKW 数据手册

NX3008PBKW

T323

30 V, 200 mA P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 1 August 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Very fast switching

 ESD protection up to 2 kV

 AEC-Q101 qualified

 Low threshold voltage

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 High-side loadswitch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-30

V_GS

-8

[1]

I_D

V_GS= -4.5 V; T_amb= 25 °C

-200 mA

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= -4.5 V; I_D= -200 mA;

T_j= 25 °C

2.8 4.1

Ω

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

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