NX3008NBKS

更新时间： 2024-09-27 12:46:47

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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17页	902K
描述
30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET

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NX3008NBKS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.35 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NX3008NBKS 数据手册

NX3008NBKS

30 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 1 August 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363

(SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

 Very fast switching

 ESD protection up to 2 kV

 AEC-Q101 qualified

 Low threshold voltage

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 Low-side loadswitch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

T_j= 25 °C

gate-source voltage

drain current

-8

[1]

V_GS= 4.5 V; T_amb= 25 °C

350 mA

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 4.5 V; I_D= 350 mA;

T_j= 25 °C

1.4

Ω

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...17

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