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NVMFS5834NLT1G

更新时间： 2024-11-16 11:58:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
40 V, 75 A, 9.3 m, Single N−Channel

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NVMFS5834NLT1G 数据手册

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NTMFS5834NL,  
NVMFS5834NL  
Power MOSFET  
40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N−Channel  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low Capacitance  
• Optimized Gate Charge  
• NVMF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
9.3 mW @ 10 V  
40 V  
75 A  
13.6 mW @ 4.5 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D (5,6)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
V
GS  
20  
V
G (4)  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
I
14  
A
A
D
q
JA  
T = 100°C  
A
12  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
(Note 1)  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.6  
2.5  
75  
W
A
D
D
R
(Note 1)  
q
JA  
T = 100°C  
A
Steady  
State  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
C
q
JC  
T
C
63  
D
(Note 1)  
1
S
S
S
G
D
D
Power Dissipation  
T
C
P
107  
75  
W
5834L  
AYWZZ  
R
(Note 1)  
q
JC  
DFN5  
T
C
= 100°C  
(SO−8FL)  
CASE 488AA  
STYLE 1  
Pulsed Drain  
Current  
t = 10 ms  
I
276  
A
p
DM  
D
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
STG  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Source Current (Body Diode)  
I
75  
48  
A
mJ  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.1 mH)  
EAS  
IAS  
31  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NTMFS5834NLT1G  
NVMFS5834NLT1G  
NVMFS5834NLT3G  
DFN5  
(Pb−Free)  
1500/Tape & Reel  
1500/Tape & Reel  
5000/Tape & Reel  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
DFN5  
(Pb−Free)  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.4  
Unit  
Junction−to−Case (Bottom) (Note 1)  
Junction−to−Case (Top) (Note 1)  
R
DFN5  
(Pb−Free)  
q
JC  
q
JC  
q
JA  
R
R
4.5  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction−to−Ambient Steady State  
41  
°C/W  
(Note 1)  
Junction−to−Ambient Steady State  
(Note 2)  
R
75  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
June, 2012 − Rev. 2  
NTMFS5834NL/D  
123456

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NVMFS5834NLT1G 替代型号

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