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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NVMFS5834NLWFT3G
NVMFS5834NLWFT3G PDF预览

NVMFS5834NLWFT3G

更新时间： 2024-11-17 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
功率 MOSFET，40V，75A，9.3mΩ，单 N 沟道，SO8-FL，逻辑电平

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NVMFS5834NLWFT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：6.2雪崩能效等级（Eas）：48 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0136 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：276 A参考标准：AEC-Q101
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMFS5834NLWFT3G 数据手册

 浏览型号NVMFS5834NLWFT3G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NVMFS5834NLWFT3G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NVMFS5834NLWFT3G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NVMFS5834NLWFT3G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NVMFS5834NLWFT3G的Datasheet PDF文件第6页 
NTMFS5834NL,  
NVMFS5834NL  
Power MOSFET  
40 V, 75 A, 9.3 mW, Single N−Channel  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low Capacitance  
• Optimized Gate Charge  
• NVMFS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
9.3 mW @ 10 V  
40 V  
75 A  
13.6 mW @ 4.5 V  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D (5,6)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
V
GS  
20  
V
G (4)  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
I
14  
A
A
D
q
JA  
T = 100°C  
A
12  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
(Note 1)  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.6  
2.5  
75  
W
A
D
D
R
(Note 1)  
q
JA  
T = 100°C  
A
Steady  
State  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
D
C
q
JC  
T
C
63  
D
(Note 1)  
1
S
S
S
G
D
D
Power Dissipation  
T
C
P
107  
75  
W
5834L  
AYWZZ  
R
(Note 1)  
q
JC  
DFN5  
T
C
= 100°C  
(SO−8FL)  
CASE 488AA  
STYLE 1  
Pulsed Drain  
Current  
t = 10 ms  
I
276  
A
p
DM  
D
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
STG  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Source Current (Body Diode)  
I
75  
48  
A
mJ  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
Energy (L = 0.1 mH)  
EAS  
IAS  
31  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
NTMFS5834NLT1G  
NVMFS5834NLT1G  
NVMFS5834NLT3G  
DFN5  
(Pb−Free)  
1500/Tape & Reel  
1500/Tape & Reel  
5000/Tape & Reel  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
DFN5  
(Pb−Free)  
Parameter  
Symbol  
Value  
1.4  
Unit  
Junction−to−Case (Bottom) (Note 1)  
Junction−to−Case (Top) (Note 1)  
R
DFN5  
(Pb−Free)  
q
JC  
q
JC  
q
JA  
R
R
4.5  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction−to−Ambient Steady State  
41  
°C/W  
(Note 1)  
Junction−to−Ambient Steady State  
(Note 2)  
R
75  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
February, 2013 − Rev. 3  
NTMFS5834NL/D  
123456

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NVMFS5834NLWFT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVMFS5834NLWFT1G ONSEMI

完全替代

 功率 MOSFET，40V，75A，9.3mΩ，单 N 沟道，SO8-FL，逻辑电平
NVMFS5834NLT3G ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 m, Single N.Channel
NVMFS5834NLT1G ONSEMI

功能相似

 40 V, 75 A, 9.3 m, Single N−Channel

与NVMFS5834NLWFT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMFS5844NL ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel
NVMFS5844NLT1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel
NVMFS5844NLT3G ONSEMI

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 		Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel
NVMFS5844NLWFT1G ONSEMI

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