是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SO-8FL, DFN-5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 23 weeks | 风险等级: | 4.78 |
雪崩能效等级(Eas): | 420 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 140 A | 最大漏极电流 (ID): | 140 A |
最大漏源导通电阻: | 7.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 3.8 W |
最大功率耗散 (Abs): | 200 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 560 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NVMFS5A140PLZWFT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A140PLZWFT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A160PLZ | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A160PLZT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A160PLZT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A160PLZWFT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A160PLZWFT3G | ONSEMI |
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NVMFS5C404N | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5C404N_17 | ONSEMI |
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NVMFS5C404NAFT1G | ONSEMI |
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