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NVMFS5A160PLZT1G

更新时间： 2024-01-29 18:51:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 368K
描述
Power MOSFET

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NVMFS5A160PLZT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.46
雪崩能效等级（Eas）：335 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏源导通电阻：0.0105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVMFS5A160PLZT1G 数据手册

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NVMFS5A160PLZ  
Advance Information  
Power MOSFET  
−
60 V, 7.7 mΩ, 100 A, Single P-Channel  
−
www.onsemi.com  
Features  
• Small Footprint (5 × 6 mm) for Compact Design  
• Low R (on) to Minimize Conduction Losses  
• NVMFS5A160PLZWF :  
DS  
V
R
DS  
(on) Max  
I
DSS  
D Max  
Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection  
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable  
• Pb-Free and RoHS compliance  
7.7 mΩ @ −10 V  
−60 V  
−100 A  
10.5 mΩ @ −4.5 V  
ELECTRICAL CONNECTION  
SPECIFICATIONS  
D (5)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Tj = 25°C unless otherwise noted  
(Notes 1, 2, 3, 4)  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
1 : Source  
V
−60  
DSS  
2 : Source  
3 : Source  
4 : Gate  
V
Gate to Source Voltage  
Continuous Drain  
20  
V
GS  
G (4)  
R
T
T
T
T
= 25°C  
= 25°C  
= 25°C  
= 25°C  
I
A
W
A
5 : Drain  
−100  
200  
Current θJC  
C
C
A
A
D
Steady  
State  
(Notes 2, 4)  
Power Dissipation  
S (1,2,3)  
P
D
R
θJC  
(Note 2)  
P-Channel MOSFET  
Continuous Drain  
R
I
−15  
Current θJA  
D
Steady  
State  
(Notes 2, 3, 4)  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
P
D
3.8  
W
A
D
R
θJA  
(Notes 2, 3)  
S
S
S
G
D
D
Pulsed Drain  
PW ≤ 10 μs,  
duty cycle ≤ 1%  
I
DFN5  
(SO-8FL)  
−400  
DP  
XXXXXX  
AYWZZ  
Current  
T ,  
J
Operating Junction and Storage Temperature  
−55 to +175  
−100  
°C  
A
T
stg  
D
I
Source Current (Body Diode)  
S
Specific Device Code  
5A160L(NVMFS5A160PLZ)  
160LWF(NVMFS5A160PLZWF)  
XXXXXX=  
Single Pulse Drain to Source Avalanche  
E
T
335  
mJ  
AS  
Energy (L = 1.0 mH, I  
= −26 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8" from case for 10 s)  
260  
°C  
L
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
0.75  
39  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping  
information on page 6 of this data sheet.  
R
Junction to Case Steady State  
θJC  
θJA  
°C/W  
R
Junction to Ambient Steady State (Note 3)  
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage  
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not  
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
Note 2 : The entire application environment impacts the thermal resistance values  
shown, they are not constants and are only valid for the particular conditions  
noted.  
Note 3 : Surface mounted on FR4 board using a 650 mm2, 2 oz. Cu pad.  
Note 4 : Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
This document contains information on a new product. Specifications and information  
herein are subject to change without notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
December 2016 - Rev. P2  
1
Publication Order Number :  
NVMFS5A160PLZ /D  
123456

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