是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DFN | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数: | 5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 4 weeks |
风险等级: | 0.63 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 61 A | 最大漏源导通电阻: | 0.016 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 107 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 247 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NVMFS5844NLT3G | ONSEMI |
类似代替 |
Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NVMFS5844NLT3G | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel | |
NVMFS5844NLWFT1G | ONSEMI |
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功率 MOSFET,单 N 沟道,逻辑电平,60 V,61 A,12 mΩ | |
NVMFS5844NLWFT3G | ONSEMI |
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功率 MOSFET,单 N 沟道,逻辑电平,60 V,61 A,12 mΩ | |
NVMFS5885NL | ONSEMI |
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Single NâChannel Power MOSFET | |
NVMFS5885NLT1G | ONSEMI |
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Single NâChannel Power MOSFET | |
NVMFS5885NLT3G | ONSEMI |
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Single NâChannel Power MOSFET | |
NVMFS5885NLWFT1G | ONSEMI |
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Single NâChannel Power MOSFET | |
NVMFS5885NLWFT3G | ONSEMI |
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NVMFS5A140PLZ | ONSEMI |
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Power MOSFET | |
NVMFS5A140PLZT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET |