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NVHL060N090SC1

更新时间： 2024-11-06 11:15:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 764K
描述
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO247−3L

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NVHL060N090SC1 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Silicon Carbide (SiC)  
MOSFET – 60 mohm, 900ꢀV,  
M2, TO-247-3L  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
900 V  
84 mW @ 15 V  
46 A  
N−CHANNEL MOSFET  
NVHL060N090SC1  
Features  
D
• Typ. R  
• Typ. R  
= 60 mW @ V = 15 V  
DS(on)  
DS(on)  
GS  
= 43 mW @ V = 18 V  
GS  
G
• Ultra Low Gate Charge (typ. Q  
= 87 nC)  
G(tot)  
• Low Effective Output Capacitance (typ. C = 113 pF)  
oss  
• 100% UIL Tested  
S
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,  
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)  
Typical Applications  
• Automotive On Board Charger  
• Automotive DC−DC converter for EV/HEV  
G
D
S
TO−247−3LD  
CASE 340CX  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
900  
Unit  
V
MARKING DIAGRAM  
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
+22/−8  
+15/−5  
V
GS  
Recommended Opera-  
tion Values of Gate−to−  
Source Voltage  
V
GSop  
V
T
C
< 175°C  
$Y&Z&3&K  
NVHL060  
N090SC1  
Continuous Drain  
Current R  
I
46  
A
D
Steady  
State  
q
JC  
T
= 25°C  
C
Power Dissipation R  
P
221  
32  
W
A
q
D
JC  
JC  
Continuous Drain  
Current R  
I
D
Steady  
State  
q
JC  
T
C
= 100°C  
Power Dissipation R  
P
110  
184  
W
A
q
D
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
Pulsed Drain Current  
(Note 2)  
I
DM  
T = 25°C  
A
Single Pulse Surge Drain  
Current Capability  
(Note 3)  
I
320  
A
NVHL060N090SC1 = Specific Device Code  
DSC  
T = 25°C, t = 10 ms,  
A
p
R
= 4.7 W  
G
ORDERING INFORMATION  
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Device  
Package  
Shipping  
Source Current (Body Diode)  
I
22  
A
S
30 Units /  
Tube  
TO247−3L  
NVHL060N090SC1  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
162  
mJ  
Energy (I  
= 18 A, L = 1 mH) (Note 4)  
L(pk)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
May, 2022 − Rev. 3  
NVHL060N090SC1/D  
12345678

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