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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NVD4810NT4G
NVD4810NT4G PDF预览

NVD4810NT4G

更新时间： 2024-11-06 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 295K
描述
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 54A, 10mΩ

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NVD4810NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DPAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：98 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：54 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.0157 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVD4810NT4G 数据手册

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NTD4810N  
Power MOSFET  
30 V, 54 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK  
Features  
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These are Pb--Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
• CPU Power Delivery  
• DC--DC Converters  
10 mΩ @ 10 V  
30 V  
54 A  
15.7 mΩ @ 4.5 V  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain--to--Source Voltage  
Gate--to--Source Voltage  
Continuous Drain  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
V
N--Channel  
V
DSS  
G
V
20  
10.8  
8.4  
V
GS  
S
4
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
I
A
A
D
Current (R ) (Note 1)  
θ
JA  
T
A
4
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
A
P
2.0  
W
A
D
4
θ
JA  
Continuous Drain  
Current (R ) (Note 2)  
T
A
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
I
8.6  
6.7  
D
2
1
θ
1
2
3
JA  
1
2
3
CASE 369D  
IPAK  
(Straight Lead  
DPAK)  
T
A
3
Steady  
State  
Power Dissipation  
(R ) (Note 2)  
T
A
P
I
1.28  
W
A
D
CASE 369AC  
3 IPAK  
(Straight Lead)  
CASE 369AA  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
θ
JA  
Continuous Drain  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
54  
42  
50  
D
Current (R  
(Note 1)  
)
θ
JC  
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
P
W
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
D
θ
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t =10ms  
T
= 25°C  
= 25°C  
I
120  
45  
A
A
p
A
DM  
I
DmaxPkg  
Drain  
4
4
Current Limited by Package  
T
A
Drain  
Drain  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
-- 5 5 t o  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
41  
6.0  
98  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
2
1
2
3
Drain  
Single Pulse Drain--to--Source Avalanche  
E
1
3
AS  
Gate Drain Source  
Energy (V = 24 V, V = 10 V,  
Gate Source  
DD  
GS  
1
2
3
L = 1.0 mH, I  
= 14 A, R = 25 Ω)  
Gate Drain Source  
L(pk)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
4810N = Device Code  
= Pb--Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
Seedetailedorderingandshippinginformationinthepackage  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
June, 2010 -- Rev. 8  
NTD4810N/D  
12345678

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NVD4810NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD50N03RG ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET
NTD60N02RT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK
NTD60N02RG ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 62 A, 24 V, N−Channel, DPAK

与NVD4810NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVD4810NT4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Power MOSFET 30V, 54A, 10mΩ
NVD4813NHT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30V, 40A, 13 mOhm, Single N-Channel, DPAK.
NVD4815NT4G ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，35A，15mΩ
NVD4856NT4G ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，89A，4.7mΩ
NVD4856NT4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，89A，4.7mΩ
NVD4C05NT4G ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，90A，4.1mΩ
NVD5117PL ONSEMI

获取价格

 		−60 V, 16 m, −61 A, Single P−Channel
NVD5117PL_17 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVD5117PLT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVD5117PLT4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		单 P 沟道，功率 MOSFET，-60V，-61A，16mΩ

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