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NVD5802NT4G

更新时间： 2024-09-24 12:06:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 130K
描述
Power MOSFET 40 V, Single N−Channel, 101 A DPAK

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NVD5802NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.32
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：101 A最大漏极电流 (ID)：16.4 A
最大漏源导通电阻：0.0078 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：93.75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVD5802NT4G 数据手册

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NTD5802N, NVD5802N  
Power MOSFET  
40 V, Single N−Channel, 101 A DPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• MSL 1/260°C  
http://onsemi.com  
V
R
I
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• AEC Q101 Qualified  
4.4 mW @ 10 V  
7.8 mW @ 5.0 V  
101 A  
50 A  
• 100% Avalanche Tested  
40 V  
• AEC Q101 Qualified − NVD5802N  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D
Applications  
• CPU Power Delivery  
• DC−DC Converters  
• Motor Driver  
N−Channel  
G
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
4
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
101  
V
GS  
2
1
Continuous Drain Cur-  
rent (R ) (Note 1)  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
I
A
C
C
C
D
3
q
JC  
78  
CASE 369C  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
P
93.75  
W
A
D
q
JC  
Steady  
State  
Continuous Drain Cur-  
rent (R ) (Note 1)  
T = 25°C  
A
I
16.4  
12.7  
2.5  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
D
q
JA  
Pulsed Drain Current  
t =10ms T = 25°C  
I
300  
45  
A
A
p
A
DM  
I
DmaxPkg  
4
Drain  
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
50  
6.0  
240  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
2
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche En-  
E
AS  
1
3
Gate Source  
ergy (V = 32 V, V = 10 V,  
DD  
GS  
L = 0.3 mH, I  
= 40 A, R = 25 W)  
L(pk)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
5802N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
August, 2011 − Rev. 6  
NTD5802N/D  
1234567

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与NVD5802NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVD5802NT4G-VF01 ONSEMI

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 		Power MOSFET 40V, 101A, 4.4 mOhm, Single N-Channel, DPAK.
NVD5803N ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N−Channel, DPAK
NVD5803NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N−Channel, DPAK
NVD5805N ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N.Channel, DPAK
NVD5805NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N.Channel, DPAK
NVD5805NT4G-VF01 ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，51A，9.5mΩ
NVD5806N ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVD5806NT4G ONSEMI

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NVD5807N ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel,
NVD5807NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel,

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