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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NVD5803NT4G
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NVD5803NT4G

更新时间： 2024-11-09 06:00:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N−Channel, DPAK

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NVD5803NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.17Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A最大漏极电流 (ID)：85 A
最大漏源导通电阻：0.0057 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：228 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVD5803NT4G 数据手册

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NVD5803N  
Power MOSFET  
40 V, 85 A, Single N−Channel, DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
http://onsemi.com  
• Avalanche Energy Specified  
• AEC−Q101 Qualified  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
40 V  
5.7 mW @ 10 V  
85 A  
Applications  
• DC Motor Drive  
• Reverse Battery Protection  
• Glow Plug  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
S
V
"20  
85  
V
N−CHANNEL MOSFET  
GS  
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
A
C
D
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
4
Steady  
State  
T
C
61  
83  
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
C
P
W
D
2
1
q
JC  
3
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
228  
A
p
DM  
DPAK  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
CASE 369AA  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
Source Current (Body Diode)  
I
S
85  
A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
240  
mJ  
AS  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,  
DD  
GS  
G
I
= 40 A, L = 0.3 mH)  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
T
260  
°C  
L
(1/8″ from case for 10 s)  
4
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
2
Drain  
1
3
Junction−to−Case (Drain)  
R
q
1.8  
42  
°C/W  
JC  
Gate Source  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces.  
5803N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 0  
NVD5803N/D  
 
123456

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NVD5803NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD95N4F3 STMICROELECTRONICS

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