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NVD5890NT4G

更新时间： 2024-11-09 12:36:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 116K
描述
Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N−Channel DPAK

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NVD5890NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：123 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0037 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：107 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NVD5890NT4G 数据手册

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NVD5890N  
Power MOSFET  
40 V, 123 A, Single N−Channel DPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• MSL 1/260°C  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• AEC Q101 Qualified and PPAP Capable  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
V
R
I
D
(BR)DSS  
DS(on)  
40 V  
3.7 mW @ 10 V  
123 A  
Applications  
• Motor Drivers  
D
• Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other High  
Current Systems  
N−Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
G
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
S
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
123  
95  
V
GS  
4
Continuous Drain Cur-  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
I
A
C
C
C
D
rent (R  
)
q
JC  
2
1
Power Dissipation  
(R  
P
107  
W
A
D
3
)
q
JC  
Steady  
State  
CASE 369C  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Continuous Drain Cur-  
rent (R ) (Note 1)  
T = 25°C  
A
I
24  
18.5  
4.0  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
D
q
JA  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Pulsed Drain Current  
t =10ms T = 25°C  
I
400  
100  
A
A
p
A
DM  
I
DmaxPkg  
Current Limited by Package  
T = 25°C  
A
4
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
Drain  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
100  
6.0  
A
S
dV/dt  
V/ns  
mJ  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche En-  
E
AS  
240  
2
ergy (V = 32 V, V = 10 V,  
DD  
GS  
Drain  
L = 0.3 mH, I  
= 40 A, R = 25 W)  
1
3
L(pk)  
G
Gate Source  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
5890N = Device Code  
= Pb−Free Package  
G
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
January, 2012 − Rev. 1  
NVD5890N/D  
1234567

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与NVD5890NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVD5890NT4G-VF01 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，40V，123A，3.7mΩ，单 N 沟道，DPAK
NVD5C434N ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVD5C434NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVD5C446NT4G ONSEMI

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NVD5C454NLT4G ONSEMI

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 		Single N-Channel Power MOSFET, 40V, 64A, 5.2m
NVD5C464NT4G ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，59A，5.8mΩ

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