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NVD5890NLT4G

更新时间： 2024-09-25 11:12:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 214K
描述
功率 MOSFET，40V，123A，3.7 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平。

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NVD5890NLT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.44雪崩能效等级（Eas）：320 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：123 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：107 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVD5890NLT4G 数据手册

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NVD5890NL  
Power MOSFET  
40 V, 3.7 mW, 123 A, Single N−Channel  
DPAK  
Features  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• MSL 1 @ 260°C  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• AEC Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
3.7 mW @ 10 V  
5.5 mW @ 4.5 V  
40 V  
123 A  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
D
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
123  
V
GS  
N−Channel  
Continuous Drain Cur-  
rent (R ) (Notes 1 &  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
I
A
C
C
C
D
G
q
JC  
95  
3)  
S
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
P
107  
W
A
D
q
JC  
Steady  
State  
4
Continuous Drain Cur-  
rent (R ) (Notes 1, 2,  
T = 25°C  
A
I
24  
18.5  
4.0  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
3)  
2
1
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
W
3
D
(R ) (Notes 1 & 2)  
q
JA  
CASE 369C  
DPAK  
(Bent Lead)  
STYLE 2  
Pulsed Drain Current  
t =10ms T = 25°C  
I
400  
100  
A
A
p
A
DM  
I
DmaxPkg  
Current Limited by Package  
(Note 3)  
T = 25°C  
A
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
175  
Source Current (Body Diode)  
I
S
100  
320  
A
4
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Drain  
Energy (V = 10 V, L = 0.3 mH, I  
=
GS  
L(pk)  
46.2 A, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
Drain  
1
3
Gate Source  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and suty cycle.  
5890NL = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
October, 2012 − Rev. 0  
NVD5890NL/D  
 
12345678

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与NVD5890NLT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVD5890NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N−Channel
NVD5890NT4G-VF01 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，40V，123A，3.7mΩ，单 N 沟道，DPAK
NVD5C434N ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVD5C434NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVD5C446NT4G ONSEMI

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 		Single N-Channel Power MOSFET 40V, 101A, 3.5m
NVD5C454NLT4G ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，88A，3.9mΩ
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 		Single N-Channel Power MOSFET, 40V, 64A, 5.2m

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