是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CASE 369D-01, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.28 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 162 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 24 A |
最大漏极电流 (ID): | 24 A | 最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTD24N06L-1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK | |
NTD24N06LG | ONSEMI |
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Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK | |
NTD24N06LT4 | ONSEMI |
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Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK | |
NTD24N06LT4G | ONSEMI |
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Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N−Channel DPAK | |
NTD24N06LT4G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
NTD24N06T4 | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 V, 24 A, N−Channel DPAK | |
NTD24N06T4G | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 V, 24 A, N−Channel DPAK | |
NTD25 | EDI |
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HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS | |
NTD250N65S3H | ONSEMI |
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Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, | |
NTD25P03 | ONSEMI |
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Power MOSFET |