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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 5 weeks | 风险等级： | 1.55 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.2 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVJ3910SB3 | ONSEMI |
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N-Channel JFET |
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| NSVJ3910SB3_16 | ONSEMI |
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N-Channel JFET |
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| NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI |
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N-Channel JFET |
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| NSVJ5908DSG5 | ONSEMI |
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N-Channel JFET |
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| NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI |
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N-Channel JFET |
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| NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI |
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N 沟道 JFET，-25 V，20 至 40 mA，40 mS，双路 |
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| NSVM1MA141WAT1G | ONSEMI |
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40 V Common Anode Switching Diode |
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| NSVM1MA152WAT1G | ONSEMI |
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80 V 双共阳极开关二极管 |
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| NSVM1MA152WKT1G | ONSEMI |
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80 V 双共阴极开关二极管 |
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| NSVMBD54DWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基二极管，双隔离 |
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