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NSS20500UW3T2G

更新时间： 2024-01-11 20:03:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 61K
描述
20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

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NSS20500UW3T2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.55外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：S-XDSO-N3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
最大关闭时间（toff）：510 ns最大开启时间（吨）：235 ns
Base Number Matches：1

NSS20500UW3T2G 数据手册

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NSS20500UW3T2G  
20 V, 7.0 A, Low VCE(sat)  
PNP Transistor  
2
ON Semiconductor’s e PowerEdge family of low V  
CE(sat)  
transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low  
saturation voltage (V ) and high current gain capability. These  
are designed for use in low voltage, high speed switching applications  
where affordable efficient energy control is important.  
CE(sat)  
http://onsemi.com  
−20 VOLTS  
7.0 AMPS  
PNP LOW VCE(sat) TRANSISTOR  
EQUIVALENT RDS(on) 50 mW  
Typical applications are DC−DC converters and power management  
in portable and battery powered products such as cellular and cordless  
phones, PDAs, computers, printers, digital cameras and MP3 players.  
Other applications are low voltage motor controls in mass storage  
products such as disc drives and tape drives. In the automotive  
industry they can be used in air bag deployment and in the instrument  
2
cluster. The high current gain allows e PowerEdge devices to be  
COLLECTOR  
3
driven directly from PMU’s control outputs, and the Linear Gain  
(Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.  
• This is a Pb−Free Device  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
2
Rating  
Symbol  
Max  
−20  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
A
EMITTER  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−20  
3
WDFN3  
−7.0  
−5.0  
−7.0  
CASE 506AU  
2
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Electrostatic Discharge  
I
C
1
I
CM  
MARKING DIAGRAM  
ESD  
HBM Class 3B  
MM Class C  
VC M  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
G
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
(Note 1)  
875  
7.0  
mW  
mW/°C  
A
D
VC = Specific Device Code  
Derate above 25°C  
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
(Note 1)  
143  
°C/W  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
P
(Note 2)  
D
1.5  
11.8  
W
mW/°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25°C  
†
Device  
NSS20500UW3T2G  
Package  
Shipping  
3000/  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
R
(Note 2)  
(Note 2)  
85  
°C/W  
°C/W  
W
q
JA  
WDFN3  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Lead #1  
23  
q
JL  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Total Device Dissipation  
(Single Pulse < 10 sec)  
P
3.0  
Dsingle  
(Notes 2 & 3)  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
1. FR−4 @ 100 mm , 1 oz copper traces.  
2
2. FR−4 @ 500 mm , 1 oz copper traces.  
3. Thermal response.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
July, 2006 − Rev. 0  
NSS20500UW3/D  
 
123456

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NSS20500UW3T2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSS20200W6T1G ONSEMI

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NSS20501UW3 ONSEMI

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