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NE02107

更新时间: 2024-11-25 22:29:07
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日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
14页 639K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR

NE02107 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.07 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最高频带:L BANDJESD-30 代码:S-CQMW-F4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:MICROWAVE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:QUAD
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4500 MHzBase Number Matches:1

NE02107 数据手册

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