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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE02139-T1 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02139-T2 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02202000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE022025-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3A I(C) | STX-M4 |
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| NE02203000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02204000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02205000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02206000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02208000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE022090-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3A I(C) | RFMOD |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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