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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最小功率增益 (Gp)： | 12 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE02202000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE022025-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3A I(C) | STX-M4 |
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| NE02203000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02204000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02205000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02206000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02208000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| NE022090-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3A I(C) | RFMOD |
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| NE022091-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3A I(C) | RFMOD |
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| NE0220C000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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