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NE02133-T1B

更新时间： 2024-01-30 01:50:16

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描述
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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NE02133-T1B 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz	Base Number Matches：	1

NE02133-T1B 数据手册

NEC's NPN SILICON HIGH

FREQUENCY TRANSISTOR

NE021

SERIES

FEATURES

• HIGH INSERTION GAIN: 18.5 dB at 500 MHz

• LOW NOISE FIGURE: 1.5 dB at 500 MHz

• HIGH POWER GAIN: 12 dB at 2 GHz

• LARGE DYNAMIC RANGE: 19 dBm at 1 dB,

2 GHz Gain Compression

DESCRIPTION

00 (CHIP)

07/07B

NEC's NE021 series of NPN silicon transistors provides eco-

nomical solutions to wide ranges of amplifier and oscillator

problems. Low noise and high current capability provide low

intermodulation distortion. The NE021 series is available as a

chip or in several package styles. The series uses the NEC

gold, platinum, titanium, and platinum-silicide metallization

system to provide the utmost in reliability. NE02107 is avail-

able in both common-base and common-emitter configura-

tions and has been qualified for high-reliability space applica-

tions.

33 (SOT 23 STYLE)

35 (MICRO-X)

NE02135

TYPICAL NOISE PARAMETERS (TA = 25°C)

FREQ.

NFOPT

ΓOPT

(MHz)

(dB)

MAG

ANG

Rn/50

VCE = 10 V, IC = 5 mA

500

1.2

1.5

2.0

2.4

2.6

3.6

3.7

18.60

13.82

11.83

9.36

.36

.31

.50

.44

.52

.68

.71

.14

.12

.05

.06

.10

.14

.21

39 (SOT 143 STYLE)

1000

1500

2000

2500

3000

3500

124

165

-175

-161

-141

-139

NE02139

7.82

TYPICAL NOISE PARAMETERS(TA = 25°C)

7.51

FREQ.

(MHz)

NFOPT

(dB)

ΓOPT

6.31

(dB)

MAG

ANG

Rn/50

VCE = 10 V, IC = 20 mA

500

1.8

1.9

2.4

2.9

3.2

3.9

4.3

21.32

16.15

13.50

11.02

9.12

.16

.33

.46

.53

.57

.62

.67

149

169

.15

.13

.09

.08

.14

.27

.42

500

1.8

2.1

2.3

2.6

17.5

12.5

9.5

0.11

0.27

0.36

0.43

156

168

.20

.16

.18

.21

1000

1500

2000

2500

3000

3500

1000

1500

2000

-179

-167

-154

-139

-134

-156

-147

7.5

8.10

6.48

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7...12

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与NE02133-T1B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE02133-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
NE02135	NEC	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR
NE02135	ASI	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR
NE02135-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NE02135-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NE02137	NEC	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR
NE02139	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-143
NE02139B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SOT-143
NE02139-T1	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
NE02139-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili

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