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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 极性/信道类型： | NPN |
| 最小功率增益 (Gp)： | 12 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE02135-T2 | CEL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| NE02137 | NEC |
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NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02139 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-143 |
|
| NE02139B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-143 |
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| NE02139-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02139-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02202000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| NE022025-12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 3A I(C) | STX-M4 |
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| NE02203000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| NE02204000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
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