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NE02132TRB

更新时间: 2024-11-26 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 538K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

NE02132TRB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.25
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.07 A基于收集器的最大容量:0.9 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):12 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4500 MHzBase Number Matches:1

NE02132TRB 数据手册

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