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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, 33, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE02133-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02133-T1B | ETC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE02133-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02135 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02135 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
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| NE02135-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| NE02135-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| NE02137 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02139 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-143 |
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| NE02139B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-143 |
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