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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A | 基于收集器的最大容量： | 0.9 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE02132TRB | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02133 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02133-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| NE02133-T1B | ETC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE02133-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02135 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02135 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
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| NE02135-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| NE02135-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
|
| NE02137 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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