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NE02132

更新时间: 2024-11-25 22:29:07
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 639K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR

NE02132 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC):0.07 A基于收集器的最大容量:0.9 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最高频带:L BANDJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4500 MHz
Base Number Matches:1

NE02132 数据手册

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