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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, 30, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 0.07 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4500 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE02130-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02130-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02132 | NEC |
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NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02132TRB | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02133 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02133-T1 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02133-T1B | ETC |
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NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE02133-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| NE02135 | NEC |
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NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
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| NE02135 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
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解读BAV99LT1数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
资料解析：P82B96TD引脚图说明、电气参数
ATA6621N数据手册解读：产品特性、引脚图信息、电气参数
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