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NDS9945 PDF预览

NDS9945

更新时间： 2024-09-27 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 211K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9945 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.18
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1080381Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SOIC8 CASE 751EB ISSUE ASamacsys Released Date：2018-09-18 12:09:42
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9945 数据手册

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May 1998  
NDS9945  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
3.5 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 W @ VGS = 10 V,  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high  
cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to provide superior switching  
performance and minimize on-state resistance. These  
devices are particularly suited for low voltage applications  
such as disk drive motor control, battery powered circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and resistance  
to transients are needed.  
RDS(ON) = 0.200 W @ VGS = 4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
3
2
D1  
G2  
S2  
1
G1  
pin  
1
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless other wise noted  
Symbol Parameter  
NDS9945  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
3.5  
10  
2
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
W
1.6  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
NDS9945 Rev.B  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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NDS9945 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS9945 ONSEMI

类似代替

 双N沟道增强模式场效应晶体管
NDS9959 FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS9945 FAIRCHILD

类似代替

 60V N-Channel PowerTrench MOSFET

与NDS9945相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9945/D84Z TI

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 		3.5A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9945/L86Z TI

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 		3.5A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9945/L99Z TI

获取价格

 		3500mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9945/S62Z TI

获取价格

 		3500mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9945_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS9945D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS9945S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS9945-TR FAIRCHILD

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 		暂无描述

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