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NDS9945L86Z

更新时间： 2024-09-28 15:46:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	209K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS9945L86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.71
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS9945L86Z 数据手册

May 1998

NDS9945

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

3.5 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.100 W @ V_GS= 10 V,

SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to provide superior switching

performance and minimize on-state resistance. These

devices are particularly suited for low voltage applications

such as disk drive motor control, battery powered circuits

where fast switching, low in-line power loss, and resistance

to transients are needed.

R_DS(ON)= 0.200 W @ V_GS= 4.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely

used surface mount package.

Dual MOSFET in surface mount package.

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-8

SOIC-16

SOT-23

SO-8

SOT-223

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

NDS9945

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

±20

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

3.5

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

(Note 1)

NDS9945 Rev.B

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS9945L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS9945S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS9945-TR	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
NDS9945X	TI	获取价格	3.5A, 60V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
NDS9947	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9947_02	FAIRCHILD	获取价格	Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9947_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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