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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 90 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 55 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS9947 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS9947_02 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| NDS9947_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS9947D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS9947L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS9947L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS9947S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS9947X | TI |
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3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 |
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| NDS9948 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS9948 | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，-2.3A，250mΩ |
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