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NDS9942

更新时间: 2024-11-15 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 240K
描述
3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

NDS9942 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.91
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.5 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:0.125 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):100 ns最大开启时间(吨):35 ns
Base Number Matches:1

NDS9942 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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3A, 20V, 0.125ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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