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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDP03N60ZG
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NDP03N60ZG

更新时间： 2024-09-20 05:52:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 

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NDP03N60ZG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：3.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDP03N60ZG 数据手册

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NDF03N60Z, NDP03N60Z,  
NDD03N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 3.3 W  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
(TYP) @ 1.2 A  
DS(on)  
DSS  
600 V  
3.3 W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
V
NDF  
NDP  
600  
3.0  
NDD  
Unit  
V
N−Channel  
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
DSS  
Continuous Drain Current  
R
I
D
3.0  
(Note 1)  
2.6  
1.65  
10  
A
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
D
1.9  
(Note 1)  
1.9  
12  
A
A
R
q
JC  
T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current, V  
@ 10 V  
I
12  
(Note 1)  
GS  
DM  
Power Dissipation R  
P
25  
78  
30  
61  
W
V
q
JC  
D
S (3)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
100  
mJ  
Energy, I = 3.0 A  
D
ESD (HBM)  
V
3000  
V
V
esd  
(JESD 22−A114)  
4
RMS Isolation Voltage (t =  
V
ISO  
4500  
0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
4
T = 25°C) (Figure 17)  
A
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 2)  
3.0  
V/ns  
A
2
1
1
1
2
1
2
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
3
2
3
3
3
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
TO−220FP TO−220AB  
CASE 221D CASE 221ACASE 369D  
STYLE 1 STYLE 5  
STYLE 2  
IPAK  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
L
260  
°C  
°C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
MARKING AND ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Limited by maximum junction temperature  
2. I = 3.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 3  
NDF03N60Z/D  
 
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP040-002-BF YAMAICHI

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 		90° 180° Solder Dip Plug (1.27mm Pitch)
NDP040-002-BS YAMAICHI

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NDP040-004-BS YAMAICHI

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 		D Type Connector, 40 Contact(s), Male, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle
NDP040-4 YAMAICHI

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 		Board Connector, 40 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, Plug
NDP04N50Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 
NDP04N50ZG ONSEMI

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