NDP04N50ZG

更新时间： 2024-11-08 05:52:03

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
9页	123K
描述
N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NDP04N50ZG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	3.4 A
最大漏源导通电阻：	0.0027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDP04N50ZG 数据手册

NDP04N50Z, NDD04N50Z

N-Channel Power MOSFET

500 V, 2.7 W

Features

• Low ON Resistance

• Low Gate Charge

http://onsemi.com

• 100% Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

DSS

(MAX) @ 1.5 A

DS(on)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

500 V

2.7 W

Rating

Symbol

NDP

NDD

Unit

Drain−to−Source Voltage

Continuous Drain Current R

Continuous Drain Current

DSS

500

N−Channel

3.4

2.1

3.0

1.9

D (2)

, T = 100°C

Pulsed Drain Current, V @ 10 V

Power Dissipation R

G (1)

Gate−to−Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy,

120

= 3.4 A

S (3)

ESD (HBM) (JESD22−A114)

2800

V/ns

esd

Peak Diode Recovery

dv/dt

4.5 (Note 1)

3.4

Continuous Source Current

(Body Diode)

Maximum Temperature for Soldering

Leads

260

°C

Operating Junction and

Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum

Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended

Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the

Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

IPAK

CASE 369D

STYLE 2

DPAK

CASE 369AA

STYLE 2

TO−220AB

CASE 221A

STYLE 5

1. I v 3.4 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V ≤ BV

, T ≤ 150°C.

DSS

MARKING AND ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 6 of this data sheet.

Publication Order Number:

July, 2010 − Rev. 0

NDD04N50Z/D

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与NDP04N50ZG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDP04N60Z	ONSEMI	获取价格	N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts
NDP04N60ZG	ONSEMI	获取价格	N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts
NDP04N62Z	ONSEMI	获取价格	N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8
NDP04N62ZG	ONSEMI	获取价格	N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8
NDP050-002-BF	YAMAICHI	获取价格	90° 180° Solder Dip Plug (1.27mm Pitch)
NDP050-002-BS	YAMAICHI	获取价格	D Type Connector, 50 Contact(s), Male, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle
NDP050-003-BF	YAMAICHI	获取价格	90° SMT Type Plug (1.27mm Pitch)
NDP050-003-BS	YAMAICHI	获取价格	D Type Connector, 50 Contact(s), Male, 0.05 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Receptacle
NDP050-004-BF	YAMAICHI	获取价格	90° 180° Solder Dip Plug (1.27mm Pitch)
NDP050-004-BS	YAMAICHI	获取价格	D Type Connector, 50 Contact(s), Male, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle

与NDP04N50ZG相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

20
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

18
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

43
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDP04N50ZG

NDP04N50ZG 技术参数

NDP04N50ZG 数据手册

与NDP04N50ZG相关器件

与NDP04N50ZG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NDP04N50ZG

NDP04N50ZG 技术参数

NDP04N50ZG 数据手册

与NDP04N50ZG相关器件

与NDP04N50ZG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？