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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDP06N60ZG
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NDP06N60ZG

更新时间： 2024-11-08 05:52:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
NDP06N60Z

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NDP06N60ZG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：113 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：7.1 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDP06N60ZG 数据手册

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NDF06N60Z, NDP06N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
0.98 W, 600 Volts  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
DSS  
R
(TYP) @ 3 A  
DS(ON)  
Applications  
600 V  
0.98 Ω  
• Adapter (Notebook, Printer, Gaming)  
• LCD Panel Power  
N−Channel  
• Lighting Ballasts  
D (2)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol NDF06N60Z NDP06N60Z Unit  
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
V
600 (Note 1)  
6.0 (Note 2)  
3.8 (Note 2)  
V
A
A
DSS  
I
D
G (1)  
I
D
T = 100°C  
A
S (3)  
Pulsed Drain Current,  
I
20 (Note 2)  
A
TO−220FP  
CASE 221D  
STYLE 1  
DM  
V
GS  
@ 10 V  
MARKING  
DIAGRAM  
Power Dissipation (Note 1)  
P
31  
113  
W
V
D
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
GS  
Single Pulse Avalanche  
Energy, L = 6.3 mH,  
E
AS  
113  
mJ  
I
D
= 6.0 A  
ESD (HBM)  
(JESD 22−114−B)  
V
3000  
V
V
NDF06N60ZG  
or  
NDP06N60ZG  
AYWW  
esd  
ISO  
RMS Isolation Voltage  
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
T = 25°C) (Figure 13)  
A
V
4500  
−
Gate  
Source  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 3)  
6.0  
V/ns  
A
Continuous Source  
I
S
Current (Body Diode)  
Drain  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads, 0.063″  
(1.6 mm) from Case for  
10 s Package Body for 10 s  
T
300  
260  
°C  
L
A
Y
WW  
G
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
T
PKG  
Operating Junction and  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Storage Temperature Range  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
TO−220FP  
TO−220AB  
Shipping  
50 Units/Rail  
In Development  
1. Surface mounted on FR4 board using 1″ sq. pad size, 1 oz cu  
NDF06N60ZG  
NDP06N60ZG  
2. Limited by maximum junction temperature  
3. I = 6.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
June, 2009 − Rev. 0  
NDF06N60Z/D  
 
123456

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与NDP06N60ZG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDP06N62Z ONSEMI

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 		N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,
NDP06N62ZG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,
NDP080-002-BS YAMAICHI

获取价格

 		D Type Connector, 80 Contact(s), Male, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle
NDP080-2 YAMAICHI

获取价格

 		Board Connector, 80 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, Solder Terminal, Plug
NDP080-4 YAMAICHI

获取价格

 		暂无描述
NDP08N50Z ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 
NDP08N50ZG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 
NDP08N60Z ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω
NDP08N60ZG ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω
NDP100-002-BF YAMAICHI

获取价格

 		90° 180° Solder Dip Plug (1.27mm Pitch)

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