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NCE70R900I

更新时间: 2024-11-19 01:19:11
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新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
8页 603K
描述
N-Channel Super Junction Power MOSFET

NCE70R900I 数据手册

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NCE70R900INCE70R900K  
N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ  
General Description  
The series of devices use advanced super junction  
technology and design to provide excellent RDS(ON) with low  
gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s  
AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power  
conversion, and industrial power applications.  
VDS  
RDS(ON)TYP.  
ID  
700  
840  
5
V
m  
A
Features  
New technology for high voltage device  
Low on-resistance and low conduction losses  
Small package  
Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements  
100% Avalanche Tested  
ROHS compliant  
Application  
Power factor correctionPFC)  
Switched mode power supplies(SMPS)  
Uninterruptible Power SupplyUPS)  
Schematic diagram  
Package Marking And Ordering Information  
Device  
Device Package  
Marking  
NCE70R900I  
NCE70R900K  
TO-251  
NCE70R900I  
NCE70R900K  
TO-252  
TO-251  
TO-252  
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Value  
Unit  
V
700  
±30  
5
Drain-Source Voltage (VGS=0V)  
V
Gate-Source Voltage (VDS=0V)  
VGS  
Continuous Drain Current at Tc=25°C  
A
ID (DC)  
Continuous Drain Current at Tc=100°C  
3
A
ID (DC)  
(Note 1)  
15  
A
IDM (pluse)  
Pulsed drain current  
Drain Source voltage slope, VDS = 480 V, ID = 5 A, Tj =  
48  
dv/dt  
PD  
V/ns  
125 °C  
Maximum Power Dissipation(Tc=25)  
Derate above 25°C  
Single pulse avalanche energy (Note2)  
Avalanche current(Note 1)  
49  
0.39  
135  
2.5  
W
W/°C  
mJ  
A
EAS  
IAR  
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  
Page 1  
http://www.ncepower.com  
v1.0  

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