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NCE70T260F

更新时间： 2024-11-19 15:19:07

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新洁能 - NCEPOWER		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	1763K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

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NCE70T260F 数据手册

NCE70T260D,NCE70T260,NCE70T260F

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent RDS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_DS

700

260

mΩ

R_DS(ON)TYP

I_D

Features

●New technology for high voltage device

●Low on-resistance and low conduction losses

●Small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

●

Power factor correction（PFC）

Schematic diagram

Switched mode power supplies(SMPS)

Uninterruptible Power Supply（UPS）

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

TO-263

Marking

NCE70T260D

NCE70T260

NCE70T260F

NCE70T260D

NCE70T260

NCE70T260F

TO-220

TO-220F

TO-263

TO-220

TO-220F

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

NCE70T260D

NCE70T260

Parameter

Symbol

NCE70T260F

Unit

700

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

VDS

VGS

±30

Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

15*

10*

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

(Note 1)

60*

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

131

1.05

33.2

0.265

Derate above 25°C

W/°C

(Note 2)

304

E^AS

I_AR

Single pulse avalanche energy

Avalanche current^{(Note 1)}

Repetitive Avalanche energy ，t_ARlimited by T_jmax

(Note 1)

1.6

E_AR

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

v1.2

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