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NCE7580

更新时间： 2024-11-21 05:51:59

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新洁能 - NCEPOWER		/
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描述
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCE7580 数据手册

NCE7580

Pb-Free Product

新洁能N 沟道增强型功率MOSFET

产品概要

描述

NCE7580采用先进的沟槽式技术提供低导通电阻(Rdson)，

低栅电荷，E_AS高且稳定性，一致性好。这种器件适合应用在

PWM，负载开关电路，UPS或其他的一些应用中。

BV_DSS

typ.

6.5

8.0

R_DS(ON)typ.

max.

mΩ

I_D

基本特性

● V_DS=75V；I_D=80A@ V_GS=10V；

R_DS(ON)<8mΩ @ V_GS=10V

UIS TESTED!

● 先进的沟槽工艺技术

● 专门的设计保证电流转化以及功率控制的应用

● 为保证低导通电阻而特有的高单胞密度设计

● 较大的电流以及击穿电压余量

● 雪崩能量保证100%测试

应用

● 功率转换

● 硬开关以及高频电路

● 不间断电源（UPS）

TO-220-3L 外形俯视图

内部原理图

封装打标和订购信息

器件打标

器件

器件封装

卷轴直径

带宽

数量

NCE7580

7580

TO-220-3L

表 1. 工作条件（TA=25`C 有特殊说明除外）

参数

符号

VDS

极限值

单位

漏源电压 (VGS=0V）

栅源电压 (VDS=0V)

±25

VGS

漏极电流 (静态) at Tc=25℃

漏极电流 (静态) at Tc=100℃

漏极连续电流@脉冲电流 (注释 1)

二极管恢复电压峰值

I_{D (DC)}

320

I_{DM (pluse)}

dv/dt

P_D

V/ns

最大功耗(Tc=25℃)

170

1.13

580

降额因数

W/℃

单脉冲雪崩能量(注释 2)

工作结温以及存储温度范围

EAS

-55 To 175

℃

T_J,T_STG

注释 1. 脉冲宽度受限于最大结温度

2. E_AS测试条件：Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.3mH ,I_D=62A;

无锡新洁能功率半导体有限公司

第

页

版本1.1

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