Datasheet > NCE75T120VT

NCE75T120VT

更新时间： 2024-11-22 17:00:59

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1261K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE75T120VT 数据手册

Pb Free Product

NCE75T120VT

1200V, 75A, Trench FS II Fast IGBT

General Description

Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second

generation technology, the 1200V Trench FSII IGBT offers superior conduction and

switching performances, and easy parallel operation;

Features

 Trench FSII Technology Offering

 Very low V_CE(sat)

 High speed switching

 Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

 Very tight parameter distribution

 High ruggedness, temperature stable behavior

Schematic diagram

Application

 PV power

 Three-level Solar String Inverter

 UPS

Package Marking and Ordering Information

Device

Device Package

Device Marking

NCE75T120VT

TO-247

NCE75T120VT

TO-247

Absolute Maximum Ratings (T_C=25°C unless otherwise noted)

Symbol

V_CES

Parameter

Value

1200

±30

Units

Collector-Emitter Voltage

V_GES

Gate- Emitter Voltage

Collector Current

150

I_C

Collector Current @T_C= 100 °C

I_Cpuls

Pulsed Collector Current，t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area，V_CE=1200V，T_j=175°C

Power Dissipation @ T_C= 25°C

300

833

417

P_D

Power Dissipation @T_C= 100 °C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Temperature for Soldering

T_J,T_stg

T_L

-55 to +175

260

°C

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与NCE75T120VT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE75TD120BT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120BT4	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120BTP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120BTP4	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120VT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120VTP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120WT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120WT4	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE75TD120WW	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE8	CIT	获取价格	CIT SWITCH