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NCE75H21T

更新时间： 2024-11-21 05:51:59

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	355K
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NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCE75H21T 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE75H21T

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION

The NCE75H21T uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It can

be used in Automotive applications and a wide variety of other

applications.

GENERAL FEATURES

● V_DSS=75V,I_D=210A

Schematic diagram

R_DS(ON)< 4mΩ @ V_GS=10V

● Good stability and uniformity with high E_AS

● Special process technology for high ESD capability

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized Avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

Marking and pin Assignment

●

Automotive applications

Hard Switched and High Frequency Circuits

Uninterruptible Power Supply

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-247 top view

Package Marking And Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE75H21T

TO-247

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DSS

V^GS

±20

210

150

850

480

3.2

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

Maximum Power Dissipation

Derating factor

P_D

W/℃

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

v1.1

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