Datasheet > NCE70T360F

NCE70T360F

更新时间： 2024-11-19 15:19:27

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	1745K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE70T360F 数据手册

NCE70T360D,NCE70T360,NCE70T360F

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent RDS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_DS

700

330

11.5

mΩ

R_DS(ON)TYP

I_D

Features

● New technology for high voltage device

● Low on-resistance and low conduction losses

● small package

● Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

● 100% Avalanche Tested

● ROHS compliant

Application

●

Power factor correction（PFC）

Schematic diagram

Switched mode power supplies(SMPS)

Uninterruptible Power Supply（UPS）

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

TO-263

Marking

NCE70T360D

NCE70T360

NCE70T360F

NCE70T360D

NCE70T360

NCE70T360F

TO-220

TO-220F

TO-263

TO-220

TO-220F

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

NCE70T360D

NCE70T360

Parameter

Symbol

NCE70T360F

Unit

700

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

VDS

VGS

±30

Gate-Source Voltage (VDS=0V), AC(f>1HZ)

Continuous Drain Current at T_C=25°C

Continuous Drain Current at T_C=100°C

11.5

11.5*

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

(Note 1)

46*

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(T_C=25℃)

101

0.81

32.6

0.26

Derate above 25°C

W/°C

(Note2)

144

E^AS

I_AR

Single pulse avalanche energy

Avalanche current^{(Note 1)}

Repetitive Avalanche energy ，t_ARlimited by T_jmax

(Note 1)

0.5

E_AR

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

v1.1

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与NCE70T360F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE70T360I	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T360K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540I	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T680F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T680I	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T900F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品

与NCE70T360F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCE70T360F

NCE70T360F 数据手册

与NCE70T360F相关器件

与NCE70T360F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCE70T360F

NCE70T360F 数据手册

与NCE70T360F相关器件

与NCE70T360F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？