Datasheet > NCE70T260K

NCE70T260K

更新时间： 2024-11-19 17:01:47

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	485K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE70T260K 数据手册

NCE70T260I,NCE70T260K,

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent R^DS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_DS

700

220

mΩ

R_DS(ON)TYP

I_D

Features

●New technology for high voltage device

●Low on-resistance and low conduction losses

●Small package

●Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

●100% Avalanche Tested

●ROHS compliant

Application

● Power factor correction（PFC）

● Switched mode power supplies(SMPS)

● Uninterruptible Power Supply（UPS）

Schematic diagram

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE70T260K

NCE70T260I

TO-252

NCE70T260K

NCE70T260I

TO-251

TO-252

TO-251

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

V^DS

Value

700

±30

Unit

Drain-Source Voltage (V^GS=0V）

Gate-Source Voltage (V^DS=0V) AC (f>1 Hz)

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

V^GS

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

(Note 1)

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(Tc=25℃)

131

1.05

304

Derate above 25°C

W/°C

(Note 2)

E^AS

I_AR

Single pulse avalanche energy

(Note 1)

Avalanche current

Repetitive Avalanche energy ，t_ARlimited by T_jmax

(Note 1)

1.6

E_AR

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

v1.0

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与NCE70T260K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE70T260T	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T360	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T360F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T360I	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T360K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540D	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540F	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540I	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品
NCE70T540K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品

与NCE70T260K相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCE70T260K

NCE70T260K 数据手册

与NCE70T260K相关器件

与NCE70T260K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NCE70T260K

NCE70T260K 数据手册

与NCE70T260K相关器件

与NCE70T260K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？