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NCE70T360I

更新时间： 2024-11-22 17:01:31

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新洁能 - NCEPOWER		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	1409K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以良好的导通电阻，极低的栅极电荷，出色的开关速度，以及极具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。

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NCE70T360I 数据手册

NCE70T360K,NCE70T360I

N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅲ

General Description

The series of devices use advanced trench gate super

junction technology and design to provide excellent RDS(ON)

with low gate charge. This super junction MOSFET fits the

industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC

power conversion, and industrial power applications.

V_DS

700

330

11.5

mΩ

R_DS(ON)TYP

I_D

Features

● New technology for high voltage device

● Low on-resistance and low conduction losses

● Small package

● Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

● 100% Avalanche Tested

● ROHS compliant

Application

●

Power factor correction（PFC）

Schematic diagram

Switched mode power supplies(SMPS)

Uninterruptible Power Supply（UPS）

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

TO-252

Marking

NCE70T360K

NCE70T360I

NCE70T360K

NCE70T360I

TO-251

TO-252

TO-251

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

VDS

Value

700

±30

11.5

Unit

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

Gate-Source Voltage (VDS=0V) AC (f>1 Hz)

Continuous Drain Current at T_C=25°C

Continuous Drain Current at T_C=100°C

VGS

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

(Note 1)

Pulsed drain current

Maximum Power Dissipation(T_C=25℃)

101

0.97

144

Derate above 25°C

W/°C

(Note2)

E^AS

I_AR

Single pulse avalanche energy

Avalanche current^{(Note 1)}

Repetitive Avalanche energy ,t_ARlimited by T_jmax

(Note 1)

0.5

E_AR

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com

v1.1

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