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NCE01P18*

更新时间: 2024-10-29 17:01:19
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新洁能 - NCEPOWER 开关
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7页 713K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE01P18* 数据手册

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http://www.ncepower.com  
Thermal Characteristic  
NCE01P18  
Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2)  
RθJc  
1.79  
/W  
Electrical Characteristics (TC=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics (Note 3)  
Gate Threshold Voltage  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Dynamic Characteristics (Note4)  
Input Capacitance  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=-250μA  
VDS=-100V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
-100  
-
-
-
-
1
V
-
-
μA  
μA  
IGSS  
±20  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS=VGS,ID=-250μA  
VGS=-10V, ID=-16A  
VDS=-50V,ID=-10A  
-1  
-
-1.9  
85  
-
-3  
100  
-
V
mΩ  
S
5
Clss  
Coss  
Crss  
-
-
-
3810  
99  
-
-
-
PF  
PF  
PF  
VDS=-25V,VGS=0V,  
F=1.0MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 4)  
Turn-on Delay Time  
94  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
-
-
-
-
16  
73  
34  
57  
61  
14  
29  
-
-
-
-
-
-
-
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
Turn-on Rise Time  
VDD=-50V,ID=-16A  
VGS=-10V,RGEN=9.1Ω  
Turn-Off Delay Time  
Turn-Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
VDS=-80V,ID=-16A,  
VGS=-10V  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Drain-Source Diode Characteristics  
Diode Forward Voltage (Note 3)  
Diode Forward Current (Note 2)  
Reverse Recovery Time  
VSD  
IS  
VGS=0V,IS=-10A  
-
-
-
-
-
-
-1.2  
V
A
-
-18  
trr  
88.3  
65.9  
-
-
nS  
nC  
TJ = 25°C, IF =-16A  
di/dt = 100A/μs(Note3)  
Reverse Recovery Charge  
Forward Turn-On Time  
Qrr  
ton  
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)  
Notes:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.  
4. Guaranteed by design, not subject to production  
5. EAS conditionTj=25,VDD=-50V,VG=-10V,L=0.5mH,Rg=25Ω  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page2  
V3.0  

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