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NCE0240F

更新时间： 2024-09-20 17:02:03

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	348K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE0240F 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE0240F

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE0240F uses advanced trench technology and design

to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be

used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS=200V,I_D=40A

Schematic diagram

R_DS(ON)<41mΩ @ V_GS=10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high E_AS

● Excellent package for good heat dissipation

● Special process technology for high ESD capability

Application

● Power switching application

Marking and pin assignment

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

100% UIS TESTED!

100% ∆Vds TESTED!

TO-220F top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE0240F

TO-220F

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

200

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V_GS

±20

I_D

I_D(100℃)

I_DM

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

160

Maximum Power Dissipation

P_D

Derating factor

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

0.4

W/℃

℃

E_AS

480

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55 To 175

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient^{(Note 2)}

R_θJC

R_θJA

2.5

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V4.0

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