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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF |
| 最高频带： | KA BAND | JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWT-LP770 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-LP773 | IXYS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH11 | IXYS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MWT-PH15 | IXYS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH15QACSB | IXYS |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Ele |
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| MWT-PH16A | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Ele |
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| MWT-PH4 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH5 | IXYS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MWT-PH7 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH770 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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